A.細(xì)化晶粒
B.非晶態(tài)形成
C.低點(diǎn)缺陷密度
D.產(chǎn)生亞穩(wěn)相
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你可能感興趣的試題
A.可以方便觀察晶體生長(zhǎng)過程
B.可以避免晶體在坩堝壁上寄生形核
C.晶體直徑可控
D.籽晶可以采用多晶
A.有共晶出現(xiàn)的晶體
B.晶體和熔體成分相同
C.有第二相出現(xiàn)的晶體
D.晶體和熔體成分不同
A.沒有說明界面形態(tài)改變的機(jī)制
B.無法描述固液界面上局部曲率變化所引起的系統(tǒng)自由能變化
C.凝固組織主要受到固/液界面液相側(cè)的溫度梯度和凝固速度影響
D.平衡熱力學(xué)應(yīng)用到非平衡動(dòng)力學(xué)過程中，具有很大的近似性
A.發(fā)熱劑法
B.離心鑄造法
C.液態(tài)金屬冷卻法
D.功率降低法
A.難熔元素含量高
B.組織更細(xì)小
C.消除了橫向晶界
D.析出相含量少
最新試題
結(jié)晶過程中形核數(shù)量多，長(zhǎng)大速度慢會(huì)導(dǎo)致（）。
與立式鑄造法相比，水平鑄造法所具有的優(yōu)勢(shì)不包括（）。
下列哪個(gè)選項(xiàng)對(duì)金屬結(jié)晶冷卻現(xiàn)象描述是錯(cuò)誤的？（）
水霧化法的主要缺點(diǎn)有（）。
在平界面凝固條件下，界面處液體內(nèi)實(shí)際溫度梯度應(yīng)（）液相熔點(diǎn)溫度分布的梯度。
單晶硅中摻雜硼可以形成P型半導(dǎo)體，根據(jù)單晶成分和晶體特征分類，P型半導(dǎo)體屬于哪一類？（）
均勻形核發(fā)生所需要的過冷度大概為其熔點(diǎn)的（）倍。
在共晶合金的凝固中，可能出現(xiàn)的現(xiàn)象是（）。
下面（）最適用于低壓鑄造的澆注系統(tǒng)。
低壓鑄造方法適合鑄造（）。