多項(xiàng)選擇題影響俄歇電子強(qiáng)度的因素有()
A.激發(fā)源能量
B.原子序數(shù)
C.電離截面
D.電子的平均自由程
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1.多項(xiàng)選擇題俄歇電子的能量主要與以下哪些因素有關(guān)()
A.初始空位能級(jí)
B.躍遷電子能級(jí)
C.激發(fā)源能量
D.填充電子能級(jí)
3.單項(xiàng)選擇題產(chǎn)生俄歇電子深度范圍為表層以下()
A.1000nm左右
B.2nm左右
C.100nm左右
D.20nm左右
4.單項(xiàng)選擇題在光電子能譜圖中,出現(xiàn)在主光電子峰高動(dòng)能端的伴峰可能是()
A.震激峰
B.震離峰
C.X射線衛(wèi)星峰
D.特征能量損失峰
5.單項(xiàng)選擇題碳元素的主光電子峰是()
A.C1s
B.C2s
C.C2p
D.C3s
最新試題
下列哪種因素不是影響紅外光譜譜峰位置的影響因素()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
紅外光譜中官能團(tuán)區(qū)為()
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影響X射線連續(xù)譜總強(qiáng)度的因素包括()。
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產(chǎn)生俄歇電子深度范圍為表層以下()
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X射線光譜能給出材料的哪些信息()
題型:多項(xiàng)選擇題