如圖10-76所示，圖中平板電容器的上部空間填充介電系數(shù)為ε0的介質(zhì)，所對應(yīng)的極板面積為S0，下部介質(zhì)的介電系數(shù)為ε1，所對應(yīng)的極板面積為S1，極板的間距為d，該電容器的電容量為（）。
A.ε0+ε1）S1／d
B.ε0S0／d+ε1S1／d
C.ε0S0／d
D.ε1S1／d
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A.2εS／d
B.εS／d
C.d／2εS
D.d／εs
如圖10-75所不，兩無限大平行帶電平板，它們帶面密度為σ的異號(hào)電荷，兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個(gè)帶電平板間的電場強(qiáng)度和兩板間的電壓U分別為（）。
A.σ／3ε，σ／2εd
B.σ／ε）eX，σd／ε
C.σ／3ε，σ／3εd
D.σ／2ε）eX，σd／2ε
如圖10-74所示，真空中有一無限大帶電平板，其上電荷密度為σ，在與其相距x的A點(diǎn)處電場強(qiáng)度為（）。
A.σ／2ε0）eX
B.σ／ε0
C.σ／ε0）x2
D.σ／ε0）eX
如圖10-73所示，給平行板電容器加電壓V0，其極板上所受的電場力為（）。
A.
B.εS／D.V0
C.d／εS）V0
D.
A.當(dāng)電場是由多個(gè)點(diǎn)電荷激發(fā)產(chǎn)生時(shí)，則電場強(qiáng)度的大小是各點(diǎn)電荷單獨(dú)產(chǎn)生的電場強(qiáng)度的代數(shù)和
B.多個(gè)點(diǎn)電荷在均勻介質(zhì)中某點(diǎn)產(chǎn)生的電位，是各點(diǎn)電荷單獨(dú)在該點(diǎn)產(chǎn)生的電位的代數(shù)和
C.處于靜電場中的導(dǎo)體，其內(nèi)部電場強(qiáng)度為零，其表面的電場強(qiáng)度垂直于導(dǎo)體表面
D.電場中電位相等的點(diǎn)所構(gòu)成的曲面稱為等位面，等位面與電力線處處正交
最新試題
在圖10-62所示電路中，開關(guān)S閉合后已達(dá)穩(wěn)定狀態(tài)，在t=0瞬間將開關(guān)S斷開，則i（0+）=（）A。
一工頻（50Hz）輸電線路，其分布參數(shù)為R0=0．08Ω／km，L0=1．336mH／km，C0=8．6×103pF／km，此輸電線的特性阻抗Z和傳播系數(shù)γ分別為（）。
電真空中無限長、半徑為a的帶電圓筒上電荷面密度為σ（σ是常數(shù)），則圓筒內(nèi)與軸線相距r處的電場強(qiáng)度為（）。
如圖10-78所示，一個(gè)圓柱形電容器中有兩層同軸圓柱形均勻電介質(zhì)，內(nèi)導(dǎo)體半徑R1=1cm，外導(dǎo)體半徑R3=4cm，內(nèi)層介質(zhì)介電系數(shù)為ε1，厚度為1cm，外層介質(zhì)介電系數(shù)為ε2，厚度為2cm，內(nèi)外層導(dǎo)體間的電位差為1000V（以外導(dǎo)體為參考點(diǎn)）。假如兩層電介質(zhì)內(nèi)最大電場強(qiáng)度相等，則外層2介質(zhì)上的電位差為（）V。
如圖10-72所示，真空中有一個(gè)半徑為a的帶電金屬球，其電荷量為q，帶電球內(nèi)的電場為（）。
如圖10-76所示，圖中平板電容器的上部空間填充介電系數(shù)為ε0的介質(zhì)，所對應(yīng)的極板面積為S0，下部介質(zhì)的介電系數(shù)為ε1，所對應(yīng)的極板面積為S1，極板的間距為d，該電容器的電容量為（）。
如圖10-80所示，平行板電容器中填充介質(zhì)的電導(dǎo)率γ=1×10-7S／m，極板面積S=0．6m2，極板間距離d=3cm，則該電容器的漏電阻為（）。
真空中有一個(gè)半徑為a的金屬球，其電容為（）。
圖10-70所示電路的時(shí)間常數(shù)τ為（）us。
如圖10-75所不，兩無限大平行帶電平板，它們帶面密度為σ的異號(hào)電荷，兩板間填充介電系數(shù)為ε的介質(zhì)。這兩個(gè)帶電平板間的電場強(qiáng)度和兩板間的電壓U分別為（）。