MOS管閾值電壓的單位是eV。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。