單項選擇題查哈里阿森(Zachariasen)提出的形成氧化物玻璃的規(guī)則中,氧的配位數(shù)不大于()
A、2
B、3
C、4
D、5
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1.單項選擇題下列各種玻璃系統(tǒng)中屬于硬質(zhì)玻璃的是:()
A、鈉鈣硅玻璃
B、鉛硅酸鹽玻璃
C、硼硅酸鹽玻璃
D、磷酸鹽玻璃
2.單項選擇題下面關(guān)于介質(zhì)對玻璃侵蝕說法錯誤的是:()
A、濃酸對玻璃的侵蝕能力高于稀酸。
B、大氣對玻璃的侵蝕實質(zhì)上是水汽、CO2、SO2等作用的總和。
C、水氣比水溶液對玻璃具有更大的侵蝕性。
D、退火玻璃比淬火玻璃的化學穩(wěn)定性高。
3.單項選擇題玻璃退火點的粘度為:()
A、1013Pa·S
B、1011Pa·S
C、1012Pa·S
D、1010Pa·S
4.單項選擇題下列化學鍵中,容易形成玻璃的是:()
A.離子鍵
B.共價鍵
C.金屬鍵
D.極性共價鍵
5.單項選擇題玻璃網(wǎng)絡(luò)外體的單鍵能一般小于()
A、251kJ/mol
B、235kJ/mol
C、350kJ/mol
D、335kJ/mol
最新試題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
題型:單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題