A.結(jié)晶物質(zhì)
B.氣孔
C.液相
D.玻璃態(tài)物質(zhì)
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A.0.2%-3.5%
B.5%-8%
C.18%-26%
D.3%-5%
A.芒硝引入的Na2O/純堿引入的Na2O
B.芒硝引入的Na2O/(芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O)
C.純堿引入的Na2O/芒硝引入的Na2O
D.純堿引入的Na2O/(芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O)
A.玻璃游離體
B.玻璃形成體
C.玻璃調(diào)整體
D.玻璃中間體
A.高低
B.低高
C.低低
D.高高
A、55%
B、62%
C、67%
D、72%
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();