單項(xiàng)選擇題陶瓷坯料組成的表示方法不包括：（）
A、配料比表示
B、物理組成表示
C、化學(xué)組成表示
D、實(shí)驗(yàn)公式表示
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1.單項(xiàng)選擇題從結(jié)構(gòu)上看，陶瓷組成相中不包含：（）
A.結(jié)晶物質(zhì)
B.氣孔
C.液相
D.玻璃態(tài)物質(zhì)
2.單項(xiàng)選擇題普通玻璃中，煤粉的含率在生產(chǎn)上一般控制在：（）
A.0.2%-3.5%
B.5%-8%
C.18%-26%
D.3%-5%
3.單項(xiàng)選擇題配料計算中芒硝含率指：（）
A.芒硝引入的Na2O/純堿引入的Na2O
B.芒硝引入的Na2O/（芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O）
C.純堿引入的Na2O/芒硝引入的Na2O
D.純堿引入的Na2O/（芒硝引入的Na2O+純堿引入的Na2O）
4.單項(xiàng)選擇題玻璃的組成不包括：（）
A.玻璃游離體
B.玻璃形成體
C.玻璃調(diào)整體
D.玻璃中間體
5.單項(xiàng)選擇題KH，SM（），生料難道；反之易燒。SM，IM（）難燒，要求較高的燒成溫度。
A.高低
B.低高
C.低低
D.高高
最新試題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫械〈糠值牧?，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項(xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項(xiàng)選擇題