A、（Z2－Z1）/（Z1＋Z2）
B、2Z2/（Z1＋Z2）
C、4Z1×Z2/（Z1＋Z2）2
D、[（Z2－Z1）/（Z1＋Z2）]2
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A、1/2波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)
B、1/2波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)
C、1/4波長(zhǎng)的奇數(shù)倍時(shí)
D、1/4波長(zhǎng)的整數(shù)倍時(shí)
A、底波被較大的面積性缺陷反射
B、底波被較小的單個(gè)球狀缺陷反射
C、底波的能量被轉(zhuǎn)換為電能而吸收
D、以上都可能
A、3200和3200
B、3200和5900
C、5900和5900
D、以上都不對(duì)
A、特性
B、形狀
C、方向
D、以上都不對(duì)
最新試題
波束截面中心聲能（），隨著與中心的距離的增大，聲能（）
根據(jù)檢測(cè)對(duì)象和目的的不同，渦流檢測(cè)儀器一般可分為（）、渦流電導(dǎo)儀和渦流測(cè)厚儀三種。
特性是指實(shí)體所特有的性質(zhì)，它反映子實(shí)體滿足需要的（）
掃查方式一般視試件的（）而定。
各類(lèi)渦流檢測(cè)儀器的工作原理和（）是相同的。
在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)，當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí)，缺陷波高與缺陷面積成（）
在聲束垂直試件表面時(shí)，所獲得的（）反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí)，如果聲束軸線移到缺陷邊緣，缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的（）
渦流檢測(cè)線圈的互感線圈一般由（）構(gòu)成。
缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括（）、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。