A、粗線端
B、細(xì)線端
C、中部
D、可隨意放
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A、放置一只
B、在180°象限內(nèi)各放1只
C、至少均勻放3只
D、根據(jù)黑度要求而定
A、俘獲燈絲發(fā)射的雜散電子
B、限制燈絲電流的最大安培值;
C、減少靶散射的二次電子在玻璃管壁上產(chǎn)生的負(fù)電荷
D、與負(fù)電位相接
A、倍壓電路
B、半波自整流電路
C、全波整流電路
D、以上都不是
A、靜電加速器
B、加旋加速器
C、直線加速器
D、以上都是
A、一個(gè)變數(shù)
B、一個(gè)常數(shù)
C、在某一黑度范圍是常數(shù)
D、以上都不是
最新試題
掃查方式一般視試件的()而定。
缺陷檢測(cè)即通常所說(shuō)的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
當(dāng)波束不再與缺陷相遇,則回波()
渦流檢測(cè)線圈的互感線圈一般由()構(gòu)成。
()件對(duì)不同類型的檢測(cè)對(duì)象和要求,采用的方式各有不同。
無(wú)損探傷檢測(cè)采用的黑光燈和濾光片的作用是使其輻射波長(zhǎng)范圍為()mm,峰值波長(zhǎng)為365mm。
渦流檢測(cè)儀的阻抗幅值型儀器在顯示終端僅給出()的相關(guān)信息。
對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng),即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。
對(duì)于圓盤形試件,常沿()在圓面上進(jìn)行掃查。
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的()