A.結(jié)構(gòu)簡單、成本低
B.輸出的高低電平數(shù)值和輸入高、低電平數(shù)值不相等
C.帶負(fù)載能力差
D.帶負(fù)載能力強(qiáng)
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A.邏輯符號
B.功能表
C.真值表
D.狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖
A.TTL集成電路
B.PMOS集成電路
C.NMOS集成電路
D.CMOS集成電路
A.晶體二極管
B.晶體三極管
C.MOS晶體管
D.電阻
A.雙極性集成電路
B.TTL集成電路
C.CMOS集成電路
D.單極性集成電路
A.電阻
B.電容
C.二極管
D.三極管
最新試題
用1M×4的DRAM芯片通過（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
什么是觸發(fā)器的空翻現(xiàn)象，如何避免空翻？
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài)，所以它不能被稱為（）觸發(fā)器。
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是（）。
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，要求輸入每變化20mV，輸出信號的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了（）對轉(zhuǎn)換精度的影響。
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
利用2個(gè)74LS138和1個(gè)非門，可以擴(kuò)展得到1個(gè)（）線譯碼器。