A.在時(shí)間和數(shù)值變化上都是離散的信號(hào)；
B.在時(shí)間和數(shù)值變化上都是連續(xù)的信號(hào)；
C.屬于二值信號(hào)，用高電平和電平來表示；
D.無規(guī)律變化信號(hào)。
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A.小規(guī)模集成電路（SSI）
B.中規(guī)模集成電路（MSI）
C.大規(guī)模集成電路（LSI）
D.超大規(guī)模集成電路（VLSI）
A.接相應(yīng)的邏輯電平
B.與有用輸入端并接
C.懸空
D.接電源
A.TTL
B.ECL
C.HTL
D.I2L
A.高電平
B.低電平
C.高阻
D.失效
A.TTL集成門電路的電源電壓比CMOS集成門電路的電源電壓范圍寬。
B.TTL集成門電路的功耗比CMOS集成門電路的功耗低。
C.TTL與非門的輸入端可以懸空，CMOS與非門的輸入端不可以懸空。
D.TTL與非門和CMOS與非門的輸入端都可以懸空。
最新試題
以下代碼中為無權(quán)碼的為（）。
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了（）對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。
（）在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用，其中一個(gè)重要用途是構(gòu)成數(shù)據(jù)總線。
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要求輸入每變化20mV，輸出信號(hào)的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路？請(qǐng)說明理由。
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài)，如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)？
用原碼輸出的譯碼器實(shí)現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù)，需要增加若干個(gè)（）。
一個(gè)兩輸入端的門電路，當(dāng)輸入為10時(shí)，輸出不是1的門電路為（）