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單項(xiàng)選擇題對(duì)于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價(jià)正離子占據(jù)高價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有負(fù)電荷，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生（）。

A.負(fù)離子空位
B.間隙正離子
C.間隙負(fù)離子
D.A或B

1.單項(xiàng)選擇題位錯(cuò)的（）是指在熱缺陷的作用下，位錯(cuò)在垂直滑移方向的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少。

A.攀移
B.滑移
C.增值
D.減少

2.單項(xiàng)選擇題點(diǎn)缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫動(dòng)力學(xué)過程等有關(guān)，以下點(diǎn)缺陷中屬于本征缺陷的是（）。

A.弗侖克爾缺陷
B.肖特基缺陷
C.雜質(zhì)缺陷
D.A+B

3.單項(xiàng)選擇題根據(jù)鮑林（Pauling）規(guī)則，離子晶體MX2中二價(jià)陽離子的配位數(shù)為8時(shí)，一價(jià)陰離子的配位數(shù)為（）。

A.2
B.4
C.6
D.8

4.單項(xiàng)選擇題對(duì)沸石、螢石、MgO三類晶體具有的空隙體積相比較，其由大到小的順序?yàn)椋ǎ?/a>

5.單項(xiàng)選擇題硅酸鹽晶體的分類原則是（）。

A.正負(fù)離子的個(gè)數(shù)
B.結(jié)構(gòu)中的硅氧比
C.化學(xué)組成
D.離子半徑