單項(xiàng)選擇題位錯(cuò)的具有重要的性質(zhì)，下列說(shuō)法不正確的是（）。

A.位錯(cuò)不一定是直線
B.位錯(cuò)是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界
C.位錯(cuò)可以中斷于晶體內(nèi)部
D.位錯(cuò)不能中斷于晶體內(nèi)部


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1.單項(xiàng)選擇題熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。生成弗侖克爾缺陷（Frenkeldefect）時(shí)，（）。

A.間隙和空位質(zhì)點(diǎn)同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)
B.正離子空位和負(fù)離子空位同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)
C.正離子間隙和負(fù)離子間隙同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)
D.正離子間隙和位錯(cuò)同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)

2.單項(xiàng)選擇題熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。當(dāng)離子晶體生成肖特基缺陷（Schottkydefect）時(shí)，（）。

A.正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的縮小
B.正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加
C.正離子空位和負(fù)離子間隙是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加
D.正離子間隙和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加

3.單項(xiàng)選擇題位錯(cuò)的滑移是指位錯(cuò)在（）作用下，在滑移面上的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致永久形變。

A.外力
B.熱應(yīng)力
C.化學(xué)力
D.結(jié)構(gòu)應(yīng)力

4.單項(xiàng)選擇題間隙式固溶體亦稱填隙式固溶體，其溶質(zhì)原子位于點(diǎn)陣的間隙中。討論形成間隙型固溶體的條件須考慮（）。

A.雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)大小
B.晶體（基質(zhì)）結(jié)構(gòu)
C.電價(jià)因素
D.A+B+C

5.單項(xiàng)選擇題晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升高而增加，其變化規(guī)律是（）。

A.線性增加
B.呈指數(shù)規(guī)律增加
C.無(wú)規(guī)律
D.線性減少