p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強型MOS管的閾值電壓。