n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產最主要的一種是（）。

柵極材料與半導體材料的功函數差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

半導體具有的負的溫度系數的發(fā)現年份是（）年。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。