絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。