MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

絕緣層材料的厚度會(huì)對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。