實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質和缺陷。

雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。