MOS管可以分為4類(lèi)型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

晶體管正常使用過(guò)程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。