n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。