半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。