單項(xiàng)選擇題在外加磁場(chǎng)中，苯環(huán)上的質(zhì)子都位于（）。
A.屏蔽區(qū)
B.去屏蔽區(qū)
C.屏蔽區(qū)和去屏蔽區(qū)
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1.單項(xiàng)選擇題在外加磁場(chǎng)中醛基質(zhì)子位于（）。
A.屏蔽區(qū)并受氧原子的電負(fù)性影響
B.受氧原子的電負(fù)性影響
C.去屏蔽區(qū)并受氧原子的電負(fù)性影響
2.單項(xiàng)選擇題在外加磁場(chǎng)中HC=CH乙炔分子的兩個(gè)質(zhì)子位于（）。
A.屏蔽區(qū)
B.去屏蔽區(qū)
C.屏蔽區(qū)和去屏蔽區(qū)
3.單項(xiàng)選擇題在外加磁場(chǎng)中，H2C=CH2乙烯分子中四個(gè)質(zhì)子位于（）。
A.屏蔽區(qū)
B.去屏蔽區(qū)
C.屏蔽區(qū)和去屏蔽區(qū)
4.單項(xiàng)選擇題TMS的δ=0，從化合物的結(jié)構(gòu)出發(fā)，它的正確含義是（）。
A.不產(chǎn)生化學(xué)位移
B.化學(xué)位移最大
C.化學(xué)位移最小
5.單項(xiàng)選擇題化合物ClCH2CH2Cl，四個(gè)質(zhì)子屬磁全同，其NMR圖為（）。
A.兩個(gè)三重峰
B.五重峰
C.一重峰
最新試題
在材料后加工方式中，下列（）不屬于修飾的加工方法。
題型：單項(xiàng)選擇題
電子探針的主要作用是用來進(jìn)行（）分析。
題型：單項(xiàng)選擇題
對(duì)于完整晶體，當(dāng)偏離矢量恒定時(shí)，厚度改變，會(huì)產(chǎn)生等厚條紋襯度。
題型：判斷題
不存在位錯(cuò)、第二相粒子等缺陷的晶體，稱為理想晶體或者是完整晶體。
題型：判斷題
電子探針做定量分析時(shí)一般不需要進(jìn)行修正。
題型：判斷題
與電子探針相比，離子探針的分析深度更深。
題型：判斷題
衍射線在空間的分布（也就是晶面間距）主要反映（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
高分辨成像含兩個(gè)基本過程，分別對(duì)應(yīng)著數(shù)學(xué)上的傅里葉變換和反傅里葉變換。
題型：判斷題
橡膠壓出成型工藝不包含下列（）流程。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列（）是玻璃生產(chǎn)最重要的環(huán)節(jié)。
題型：單項(xiàng)選擇題