A.順序
B.并行
C.即可順序也可并行
D.無(wú)法確定
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A.行為、元件及連接關(guān)系
B.元件、子程序、公用數(shù)據(jù)類(lèi)型
C.名稱(chēng)和端口的引腳等
D.可編譯的設(shè)計(jì)單元
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D.可編譯的設(shè)計(jì)單元
A、如果a+b=a+c,則b=c
B、如果ab=ac,則b=c
C、如果a*a=1,則a=1
D、如果a+a=a,則a=1
A.基本RS觸發(fā)器
B.同步D觸發(fā)器
C.主從JK觸發(fā)器
D.維持-阻塞D觸發(fā)器
A.8入8出
B.16入2出
C.16入
D.1入8出
最新試題
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),要求輸入每變化20mV,輸出信號(hào)的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路?請(qǐng)說(shuō)明理由。
基本RS觸發(fā)器的輸入直接控制其輸出狀態(tài),所以它不能被稱(chēng)為()觸發(fā)器。
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線(xiàn)數(shù)n的關(guān)系一般為()
用原碼輸出的譯碼器實(shí)現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù),需要增加若干個(gè)()。
TTL與非門(mén)閾值電壓UT的典型值是()
電可擦除的PROM器件是()
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
()在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用,其中一個(gè)重要用途是構(gòu)成數(shù)據(jù)總線(xiàn)。