單項(xiàng)選擇題磁頭數(shù)一般為盤片數(shù)的()倍。
A.1
B.2
C.4
D.8
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1.單項(xiàng)選擇題當(dāng)磁盤旋轉(zhuǎn)時(shí),磁頭若保持在一個(gè)位置上,則每個(gè)磁頭都會(huì)在磁盤表面畫出一個(gè)圓形軌跡,這些圓形軌跡就叫作()。
A.磁道
B.扇區(qū)
C.柱面
D.交錯(cuò)因子
2.單項(xiàng)選擇題DDR3內(nèi)存為()線。
A.168
B.184
C.240
D.280
3.單項(xiàng)選擇題關(guān)機(jī)后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)會(huì)丟失的存儲(chǔ)器是內(nèi)存和()
A.BIOS
B.硬盤
C.高速緩存
D.CMOS
4.單項(xiàng)選擇題內(nèi)存條是由()存儲(chǔ)芯片組成,高速緩存是由SRAM存儲(chǔ)芯片組成。
A.DRAM
B.RAM
C.SRAM
D.EEPROM
5.單項(xiàng)選擇題SRAM在實(shí)際生產(chǎn)中,一個(gè)存儲(chǔ)單元需要()個(gè)晶體管和2個(gè)電阻組成。
A.8
B.4
C.2
D.1
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進(jìn)程的并發(fā)性是指進(jìn)程在同一時(shí)刻發(fā)生。
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