晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個(gè)階段。

關(guān)于液相燒結(jié)正確的說法有（）

屬于影響成核過程的因素有（）

按照坯料的性能可將成形方法分為哪幾類？（）

低維材料主要包括（）

降溫法生長關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。

影響CVD質(zhì)量的因素有（）

不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同，其能量表面能最低晶面也不相同，K，Na金屬為體心立方結(jié)構(gòu)，其最小奇異面是（）

什么是非奇異面？（）

蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）