多項(xiàng)選擇題晶體結(jié)構(gòu)中,在同一取向上()相同的點(diǎn)。
A.幾何環(huán)境
B.物質(zhì)環(huán)境
C.化學(xué)環(huán)境
D.空間環(huán)境
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2.單項(xiàng)選擇題在硅酸鹽結(jié)構(gòu)中常見的硅氧四面體連接方式中,重復(fù)單元為[Si4O11]6-的是()。
A.單鏈
B.雙鏈
C.二維層狀
D.三維架狀
3.單項(xiàng)選擇題在材料的燒結(jié)過程中,當(dāng)物質(zhì)的傳質(zhì)機(jī)理以流動(dòng)傳質(zhì)方式進(jìn)行燒結(jié)時(shí),其坯體的收縮率為()。
A.△L/L=kr-1t
B.△L/L=kr-6/5t2/5
C.△L/L=kr-3/4t1/3
D.△L/L=0
4.單項(xiàng)選擇題在材料的燒結(jié)過程中,晶粒的正常生長過程中存在一個(gè)極限尺寸Dl,當(dāng)這個(gè)極限尺寸Dl的存在是由于()。
A.燒結(jié)初期的燒結(jié)溫度較低
B.夾雜物和氣孔等對(duì)晶界移動(dòng)的牽制
C.坯體中添加了燒結(jié)助劑
D.以上都不是
5.單項(xiàng)選擇題在材料的燒結(jié)過程中,二次再結(jié)晶是少數(shù)巨大晶粒在細(xì)晶粒消耗時(shí)的異常長大過程。這種二次再結(jié)晶屬于()。
A.吞并周圍小晶粒而迅速長大
B.平均晶粒尺寸的長大
C.晶界移動(dòng)的結(jié)果
D.以上都不是
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