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問答題試分析離子晶體中，陰離子擴(kuò)散系數(shù)－般都小于陽離子擴(kuò)散系數(shù)的原因。

參考答案： 離子晶體一般為陰離子作密堆積，陽離子填充在四面體或八面體空隙中。所以陽離子較易擴(kuò)散。如果陰離子進(jìn)行擴(kuò)散，則要改變晶體堆積...

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1.問答題碳、氮、氫在體心立方鐵中的擴(kuò)散活化能分別為84kJ/mol、75kJ/mol和13kJ/mol，試對此差異進(jìn)行分析和解釋

參考答案：碳、氮、氫的原子半徑依次減小，原子半徑越小就越更容易在體心立方的鐵中通過空隙擴(kuò)散，擴(kuò)散活化能相應(yīng)也就越低

2.問答題假定碳在α-Fe（體心立方）和；γ-Fe（面心立方）中的擴(kuò)散系數(shù)分別為：D_α＝0.0079exp[－83600/RT]cm²/s；D_γ＝0.21exp[－141284/RT]cm²/s，計(jì)算800℃時(shí)各自的擴(kuò)散系數(shù)，并解釋其差別。

參考答案：
原因：擴(kuò)散介質(zhì)結(jié)構(gòu)對擴(kuò)散有很大影響。α-Fe為體心立方，而γ-Fe為面心立方，體心立...

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3.問答題在某種材料中，某種粒子的晶界擴(kuò)散系數(shù)與體積擴(kuò)散系數(shù)分別為D_gb＝2.00×10^-10exp（－19100/RT）cm²/s和D_v＝1.00×10^-4exp（－38200/RT）cm²/s，試求晶界擴(kuò)散系數(shù)和體積擴(kuò)散系數(shù)分別在什么溫度范圍內(nèi)占優(yōu)勢？

參考答案：

4.問答題 制造硅半導(dǎo)體器體中，常使硼擴(kuò)散到硅單晶中，若在1600K溫度下，保持硼在硅單晶表面的濃度恒定（恒定源半無限擴(kuò)散），要求距表面10^-3cm深度處硼的濃度是表面濃度的一半，問需要多長時(shí)間（已知D_1600℃＝8×10^-12cm²/s；當(dāng)）？

參考答案：

5.問答題 已知?dú)浜玩囋诿嫘牧⒎借F中的擴(kuò)散數(shù)據(jù)為cm²/s和cm²/s試計(jì)算1000℃的擴(kuò)散系數(shù)，并對其差別進(jìn)行解釋

參考答案：

原因：與鎳原子相比氫原子小得多，更容易在面心立方的鐵中通過空隙擴(kuò)散