絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。