版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。