由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。