判斷題雜質(zhì)在硅晶體中的擴(kuò)散機(jī)制主要有兩種：間隙式擴(kuò)散、替位式擴(kuò)散。其中間隙式擴(kuò)散比替位式擴(kuò)散困難。
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為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
題型：?jiǎn)柎痤}
目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是MOS器件的體效應(yīng)？
題型：?jiǎn)柎痤}
20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。
題型：多項(xiàng)選擇題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
題型：多項(xiàng)選擇題
MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？
題型：?jiǎn)柎痤}
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型：?jiǎn)柎痤}