單晶硅中摻雜硼可以形成P型半導(dǎo)體，根據(jù)單晶成分和晶體特征分類，P型半導(dǎo)體屬于哪一類？（）

關(guān)于不規(guī)則共晶，下面論述錯(cuò)誤的為（）。

在均勻形核過(guò)程中，形成臨界晶核時(shí)體系的自由能（）；過(guò)冷度越（），形核越容易。

與立式鑄造法相比，水平鑄造法所具有的優(yōu)勢(shì)不包括（）。

在均勻形核過(guò)程中，當(dāng)過(guò)冷度過(guò)小時(shí)，形核率N主要受（）控制，隨著過(guò)冷度增加，臨界晶核半徑減??；當(dāng)過(guò)冷度繼續(xù)增大，盡管臨界晶核半徑也在減小，但由于原子在較低溫度下擴(kuò)散變得困難，此時(shí)形核率N主要受（）控制。

晶核長(zhǎng)大的機(jī)制不包括（）。

對(duì)于低壓鑄造，說(shuō)法不對(duì)的是（）。

在共晶合金的凝固中，可能出現(xiàn)的現(xiàn)象是（）。

設(shè)在液相沒(méi)有對(duì)流只有擴(kuò)散的情況下，δN趨于無(wú)窮大，結(jié)晶溫度間隔越大，“成分過(guò)冷”的傾向越大則（）。

結(jié)晶過(guò)程中形核數(shù)量多，長(zhǎng)大速度慢會(huì)導(dǎo)致（）。