單項(xiàng)選擇題晶核長大的機(jī)制不包括()。

A.借螺位錯(cuò)長大
B.樹枝狀長大
C.垂直長大
D.二維形核長大


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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于非均勻形核,以下說法錯(cuò)誤的是()。

A.非均勻形核所需的臨界形核功比均勻形核小得多
B.無形核功,晶體可在已有固相表面長大
C.實(shí)際金屬結(jié)晶過程中,通常發(fā)生的是非均勻形核
D.非均勻形核的臨界晶核的體積V比均勻形核的體積大得多

2.單項(xiàng)選擇題在均勻形核過程中,當(dāng)過冷度過小時(shí),形核率N主要受()控制,隨著過冷度增加,臨界晶核半徑減?。划?dāng)過冷度繼續(xù)增大,盡管臨界晶核半徑也在減小,但由于原子在較低溫度下擴(kuò)散變得困難,此時(shí)形核率N主要受()控制。

A.形核功;原子擴(kuò)散幾率因子
B.形核功因子;原子擴(kuò)散幾率因子
C.形核功;原子越過液固相界面的擴(kuò)散激活能
D.形核功因子;原子越過液固相界面的擴(kuò)散激活能

4.單項(xiàng)選擇題在均勻形核過程中,形成臨界晶核時(shí)體系的自由能();過冷度越(),形核越容易。

A.增加;小
B.增加;大
C.減少;小
D.減少;大

5.單項(xiàng)選擇題結(jié)晶過程中形核數(shù)量多,長大速度慢會導(dǎo)致()。

A.獲得單晶
B.各向異性
C.晶粒粗大
D.晶粒細(xì)小

最新試題

均勻形核發(fā)生所需要的過冷度大概為其熔點(diǎn)的()倍。

題型:單項(xiàng)選擇題

在均勻形核過程中,形成臨界晶核時(shí)體系的自由能();過冷度越(),形核越容易。

題型:單項(xiàng)選擇題

結(jié)晶過程中形核數(shù)量多,長大速度慢會導(dǎo)致()。

題型:單項(xiàng)選擇題

下面哪項(xiàng)技術(shù)不屬于定向凝固技術(shù)?()

題型:單項(xiàng)選擇題

純金屬結(jié)晶時(shí),晶核呈平面狀長大的條件是()。

題型:單項(xiàng)選擇題

與立式鑄造法相比,水平鑄造法所具有的優(yōu)勢不包括()。

題型:單項(xiàng)選擇題

純金屬在等軸凝固的條件下,此時(shí),由于結(jié)晶潛熱的放出,在晶體生長前沿,液相內(nèi)部的溫度梯度為(),而在固相內(nèi)的溫度梯度為()。

題型:單項(xiàng)選擇題

利用雙流澆注半連續(xù)鑄造裝置生產(chǎn)梯度材料材料的基本原理是在傳統(tǒng)的半連續(xù)鑄造基礎(chǔ)上增加()。

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定向凝固技術(shù)制備的單晶高溫合金葉片比傳統(tǒng)鑄造的葉片蠕變性能更加優(yōu)異,其主要原因是因?yàn)閱尉Ц邷睾辖穑ǎ?/p>

題型:單項(xiàng)選擇題

下列哪項(xiàng)針對氣體霧化法描述是錯(cuò)誤的?()

題型:單項(xiàng)選擇題