單項(xiàng)選擇題利用雙流澆注半連續(xù)鑄造裝置生產(chǎn)梯度材料材料的基本原理是在傳統(tǒng)的半連續(xù)鑄造基礎(chǔ)上增加()。

A.隔熱墊
B.密閉艙室
C.一個內(nèi)澆包及其導(dǎo)流系統(tǒng)
D.結(jié)晶壁


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1.單項(xiàng)選擇題與立式鑄造法相比,水平鑄造法所具有的優(yōu)勢不包括()。

A.獲得更高的鑄錠質(zhì)量
B.產(chǎn)生裂紋的幾率會降低
C.抑制氣體缺陷的產(chǎn)生
D.鑄造高速化

2.單項(xiàng)選擇題在普通模鑄造法中二次冷卻指的是()。

A.對鑄錠的直接水冷
B.對導(dǎo)流系統(tǒng)的冷卻
C.對內(nèi)澆包的冷卻
D.冷卻水對結(jié)晶壁的冷卻

3.單項(xiàng)選擇題()不是熱型連續(xù)鑄造法的基本凝固方式。

A.垂直式
B.水平式
C.上引式
D.下引式

4.單項(xiàng)選擇題以下()不屬于與型壁發(fā)生接觸的連續(xù)鑄造法。

A.普通模鑄造
B.電磁連續(xù)鑄造法
C.熱頂鑄造法
D.隔熱模鑄造

5.單項(xiàng)選擇題水霧化法的主要缺點(diǎn)有()。

A.粉末粒度不易精確控制
B.工藝復(fù)雜
C.設(shè)備昂貴
D.不可大量連續(xù)生產(chǎn)

最新試題

對于低壓鑄造,說法不對的是()。

題型:單項(xiàng)選擇題

在均勻形核過程中,當(dāng)過冷度過小時(shí),形核率N主要受()控制,隨著過冷度增加,臨界晶核半徑減??;當(dāng)過冷度繼續(xù)增大,盡管臨界晶核半徑也在減小,但由于原子在較低溫度下擴(kuò)散變得困難,此時(shí)形核率N主要受()控制。

題型:單項(xiàng)選擇題

利用雙流澆注半連續(xù)鑄造裝置生產(chǎn)梯度材料材料的基本原理是在傳統(tǒng)的半連續(xù)鑄造基礎(chǔ)上增加()。

題型:單項(xiàng)選擇題

對于真空吸鑄,下面哪種說法是正確的?()

題型:單項(xiàng)選擇題

在普通模鑄造法中二次冷卻指的是()。

題型:單項(xiàng)選擇題

在均勻形核過程中,形成臨界晶核時(shí)體系的自由能();過冷度越(),形核越容易。

題型:單項(xiàng)選擇題

單晶硅中摻雜硼可以形成P型半導(dǎo)體,根據(jù)單晶成分和晶體特征分類,P型半導(dǎo)體屬于哪一類?()

題型:單項(xiàng)選擇題

下面哪項(xiàng)技術(shù)不屬于定向凝固技術(shù)?()

題型:單項(xiàng)選擇題

在平界面凝固條件下,界面處液體內(nèi)實(shí)際溫度梯度應(yīng)()液相熔點(diǎn)溫度分布的梯度。

題型:單項(xiàng)選擇題

水霧化法的主要缺點(diǎn)有()。

題型:單項(xiàng)選擇題