單項(xiàng)選擇題下列哪項(xiàng)針對氣體霧化法描述是錯誤的?()
A.通過高速、高壓氣體把熔體分離成熔滴
B.通過對流的方式散熱實(shí)現(xiàn)快速冷卻凝固
C.可用于制取活潑金屬粉末
D.顆粒尺寸愈小,氣體愈輕,冷速愈低
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1.單項(xiàng)選擇題以下哪點(diǎn)不屬于獲得高冷速的基本技術(shù)原則?()
A.盡可能只以對流的方式散熱
B.減小熔體與冷卻介質(zhì)的界面熱阻
C.增大熔體散熱表面積與體積之比
D.減小同一時刻凝固的熔體體積
2.單項(xiàng)選擇題以下哪點(diǎn)不屬于快速凝固技術(shù)材料部件與性能的典型特征?()
A.偏析較小
B.固溶極限擴(kuò)大
C.具有晶界強(qiáng)化和韌化作用
D.通常面向大尺寸試樣的制備
3.單項(xiàng)選擇題以下哪點(diǎn)不屬于快速凝固技術(shù)材料微觀組織的典型特征?()
A.細(xì)化晶粒
B.非晶態(tài)形成
C.低點(diǎn)缺陷密度
D.產(chǎn)生亞穩(wěn)相
4.單項(xiàng)選擇題以下哪項(xiàng)不是單晶提拉法的優(yōu)點(diǎn)?()
A.可以方便觀察晶體生長過程
B.可以避免晶體在坩堝壁上寄生形核
C.晶體直徑可控
D.籽晶可以采用多晶
5.單項(xiàng)選擇題單晶硅中摻雜硼可以形成P型半導(dǎo)體,根據(jù)單晶成分和晶體特征分類,P型半導(dǎo)體屬于哪一類?()
A.有共晶出現(xiàn)的晶體
B.晶體和熔體成分相同
C.有第二相出現(xiàn)的晶體
D.晶體和熔體成分不同
最新試題
以下哪點(diǎn)不屬于快速凝固技術(shù)材料微觀組織的典型特征?()
題型:單項(xiàng)選擇題
晶核長大的機(jī)制不包括()。
題型:單項(xiàng)選擇題
與立式鑄造法相比,水平鑄造法所具有的優(yōu)勢不包括()。
題型:單項(xiàng)選擇題
在均勻形核過程中,形成臨界晶核時體系的自由能();過冷度越(),形核越容易。
題型:單項(xiàng)選擇題
以下()不屬于與型壁發(fā)生接觸的連續(xù)鑄造法。
題型:單項(xiàng)選擇題
下面哪項(xiàng)技術(shù)不屬于定向凝固技術(shù)?()
題型:單項(xiàng)選擇題
()不是熱型連續(xù)鑄造法的基本凝固方式。
題型:單項(xiàng)選擇題
利用雙流澆注半連續(xù)鑄造裝置生產(chǎn)梯度材料材料的基本原理是在傳統(tǒng)的半連續(xù)鑄造基礎(chǔ)上增加()。
題型:單項(xiàng)選擇題
單晶硅中摻雜硼可以形成P型半導(dǎo)體,根據(jù)單晶成分和晶體特征分類,P型半導(dǎo)體屬于哪一類?()
題型:單項(xiàng)選擇題
關(guān)于非均勻形核,以下說法錯誤的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題