影響CVD質(zhì)量的因素有（）

關(guān)于光滑界面與粗糙界面，下列說法正確的有（）

氣相生長晶體的關(guān)鍵是（）

不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同，其能量表面能最低晶面也不相同，Pd，Pt為面心立方結(jié)構(gòu)，其最小奇異面是（）

提拉法生長單晶體的優(yōu)點(diǎn)有（）

屬于影響成核過程的因素有（）

凝聚開始的條件主要取決于（）

不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同，其能量表面能最低晶面也不相同，K，Na金屬為體心立方結(jié)構(gòu)，其最小奇異面是（）

適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

低維材料主要包括（）