提拉法生長(zhǎng)單晶體的優(yōu)點(diǎn)有（）

適合熔體生長(zhǎng)可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

低維材料主要包括（）

降溫法生長(zhǎng)關(guān)鍵控制技術(shù)包括（）等。

有關(guān)表面能級(jí)圖描述不正確的說(shuō)法有（）。

化學(xué)溶液鍍膜法主要包括（）

不屬于影響成核過(guò)程的因素有（）

薄膜的生長(zhǎng)過(guò)程主要包含哪幾種類(lèi)型？（）

膜層與基片的結(jié)合強(qiáng)度相比較：（）。

氣相生長(zhǎng)的基本原理：氣相原子或分子運(yùn)動(dòng)到晶體表面，在一定的條件下被晶體吸收，形成穩(wěn)定的（）。俘獲吸附原子，臺(tái)階運(yùn)動(dòng)蔓延整個(gè)表面，便生長(zhǎng)一層晶體薄膜。