氣相生長晶體的關(guān)鍵是（）

薄膜的生長過程主要包含哪幾種類型？（）

屬于影響成核過程的因素有（）

使參與反應(yīng)的氣態(tài)源交替地以脈沖方式分別射向襯底進行外延生長的方法是（）

有關(guān)表面能級圖描述不正確的說法有（）。

凝聚開始的條件主要取決于（）

不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同，其能量表面能最低晶面也不相同，Pd，Pt為面心立方結(jié)構(gòu)，其最小奇異面是（）

膜層與基片的結(jié)合強度相比較：（）。

晶體生長大致可以分為晶核的（）兩個階段。

適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）