低維材料主要包括（）

不屬于影響成核過程的因素有（）

屬于一維材料的有（）

適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

關(guān)于溶膠凝膠法，下面哪些說法是正確的？（）

化學(xué)溶液鍍膜法主要包括（）

不同金屬由于結(jié)構(gòu)不同，其能量表面能最低晶面也不相同，K，Na金屬為體心立方結(jié)構(gòu)，其最小奇異面是（）

使參與反應(yīng)的氣態(tài)源交替地以脈沖方式分別射向襯底進(jìn)行外延生長的方法是（）

在島的結(jié)合過程中，大島和小島相結(jié)合而部分消失，得到微晶具有（）的結(jié)晶取向。

蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）