JB/T4730.4-2005標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定：兩條或兩條以上缺陷磁痕在同一直線上且間距不大于2mm時，按一條磁痕處理，其長度為兩條磁痕之和加間距。

JB/T4730.4-2005標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定：采用軸向通電法和觸頭法磁化時，為了防止電弧燒傷工件表面，應(yīng)將工件和電極接觸部分清除干凈或在電極上安裝非導(dǎo)電物質(zhì)。

JB/T4730.4-2005標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定：當(dāng)辯認(rèn)細(xì)小缺陷磁痕時應(yīng)用2～10倍放大鏡進(jìn)行觀察。

C型靈敏度試片與A型靈敏度試片使用方法相同，只是C型靈敏度試片能用于狹小部位。

在工件內(nèi)部的剩磁，周向磁化要比縱向磁化大的多。

相關(guān)顯示是由漏磁場吸附磁粉形成的磁痕顯示。

打亂材料磁疇排布的兩種方法是：加熱到居里點溫度以上熱處理退磁法和反磁場退磁法。

JB/T4730.4-2005標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定：直流退磁法是將需退磁工件放入直流磁場中，逐漸減小電流至零。

濕法用磁粉粒度一般比干法小。

JB/T4730.4-2005標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定：大型工件可使用交流電磁軛進(jìn)行局部退磁或采用纏繞電纜線圈分段退磁。