第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。