MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

絕緣層材料的厚度會(huì)對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。