1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。