半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。