絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時(shí)的柵極電壓。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。