晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。