p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。