單項(xiàng)選擇題催化成核情況下，當(dāng)接觸角q=90°時(shí)，其成核的熱力學(xué)位壘是其對(duì)應(yīng)均勻成核熱力學(xué)位壘的（）倍。
A.1/3
B.1/2
C.2
D.1
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氣相生長(zhǎng)晶體的關(guān)鍵是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
氣相生長(zhǎng)的基本原理：氣相原子或分子運(yùn)動(dòng)到晶體表面，在一定的條件下被晶體吸收，形成穩(wěn)定的（）。俘獲吸附原子，臺(tái)階運(yùn)動(dòng)蔓延整個(gè)表面，便生長(zhǎng)一層晶體薄膜。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
晶體生長(zhǎng)大致可以分為晶核的（）兩個(gè)階段。
題型：多項(xiàng)選擇題
利用電鍍得到的膜層疏松多孔，而且結(jié)合不良。怎樣改善膜層的結(jié)合力？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于溶膠凝膠法，下面哪些說(shuō)法是正確的？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
使參與反應(yīng)的氣態(tài)源交替地以脈沖方式分別射向襯底進(jìn)行外延生長(zhǎng)的方法是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
有關(guān)表面能級(jí)圖描述不正確的說(shuō)法有（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
不屬于影響成核過(guò)程的因素有（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
適合熔體生長(zhǎng)可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
凝聚開(kāi)始的條件主要取決于（）
題型：多項(xiàng)選擇題