A、每次凍融循環(huán)應(yīng)在(2~4)h內(nèi)完成,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/2
B、每次凍融循環(huán)應(yīng)在(2~4)h內(nèi)完成,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/4
C、每次凍融循環(huán)時間為8h內(nèi),且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/2
D、每次凍融循環(huán)時間為8h內(nèi),且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/4
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A、測溫試件就是凍融試驗試件
B、測溫試件應(yīng)采用防凍液作為凍融介質(zhì)
C、測溫試件應(yīng)采用純凈水作為凍融介質(zhì)
D、測溫試件所用砼的抗凍性能應(yīng)高于凍融試驗試件
A、宜采用具有彈性的橡膠材料制作
B、宜采用具有高強度和硬度的鋼板制作
C、截面尺寸宜為115×115mm
D、長度宜為500mm
A、砼動彈性模量測定儀
B、快速凍融裝置
C、溫度傳感器
D、砼回彈儀
A、砼抗凍標(biāo)號是通過快凍法來測定的
B、砼抗凍標(biāo)號是通過慢凍法來測定的
C、砼抗凍標(biāo)號以抗壓強度損失率不超過25%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
D、砼抗凍標(biāo)號以相對動彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
A、砼抗凍標(biāo)號是通過快凍法來測定的
B、砼抗凍標(biāo)號是通過慢凍法來測定的
C、砼抗凍標(biāo)號以抗壓強度損失率不超過25%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
D、砼抗凍標(biāo)號以相對動彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
最新試題
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()