A、MU10
B、MU15
C、MU20
D、MU25
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A、每塊試件從3℃降至-16℃所用時間不得少于冷凍時間的1/2
B、每塊試件從3℃降至-16℃所用時間不得大于冷凍時間的1/4
C、每塊試件從-16℃升至3℃所用時間不得少于融化時間的1/2
D、每塊試件從-16℃升至3℃所用時間不得大于融化時間的1/4
A、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-18±2)℃和(18±2)℃
B、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-18±2)℃和(5±2)℃
C、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-5±2)℃和(18±2)℃
D、試件中心最低和最高溫度應分別控制在(-20±2)℃和(20±2)℃
A、每次凍融循環(huán)應在(2~4)h內完成,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/2
B、每次凍融循環(huán)應在(2~4)h內完成,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/4
C、每次凍融循環(huán)時間為8h內,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/2
D、每次凍融循環(huán)時間為8h內,且用于融化的時間不得少于整個凍融循環(huán)時間的1/4
A、測溫試件就是凍融試驗試件
B、測溫試件應采用防凍液作為凍融介質
C、測溫試件應采用純凈水作為凍融介質
D、測溫試件所用砼的抗凍性能應高于凍融試驗試件
A、宜采用具有彈性的橡膠材料制作
B、宜采用具有高強度和硬度的鋼板制作
C、截面尺寸宜為115×115mm
D、長度宜為500mm
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現()。
可用作硅片的研磨材料是()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
PN結的基本特性是()
在通常情況下,GaN呈()型結構。